B. Allard, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Villeurbanne Cedex, FR
M. Arpilliere, Schneider Toshiba Inverter Europe, Pacy s/Eure, FR
S. Azzopardi, University of Bordeaux, Talence, FR
C. Bailey, University of Greenwich, London, GB
R. Bayerer, Infineon Technologies AG, Warstein, DE
P. Beckedahl, Semikron International GmbH, Nürnberg, DE
F. Blaabjerg, Aalborg University (AAU) Institute of Energy Technology, Aalborg East, DK
M. Blanke, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, DK
D. Boroyevich, Virginia Tech Center for Power Electronics Systems, Blacksburg, US
B. Burger, Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE, Freiburg, DE
G. Busatto, DAEIMI-Università degli Studi di Cassino, Cassino (FR), IT
W.-R. Canders, Technical University of Braunschweig, DE
M. Ciappa, Swiss Federal Institute of Technology, Zürich, CH
J. A. Cobos Márquez, Universidad Politécnica de Madrid, ES
A. Consoli, Università di Catania, IT
G. Coquery, INRETS, Versailles, FR
R. De Doncker, RWTH Aachen, DE
G. Deboy, Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
E. J. Dede, University of Valencia, ES
W. Drury, Control Techniques Ltd., Newton Powys, GB
P. Dupuy, Freescale Semiconductor Inc.
A. Engler, Liebherr-Elektronik GmbH, Lindau, DE
J.-H. Fabian, ABB Switzerland Ltd., Baden-Dättwil, CH
F. Fantini, Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia, Modena, IT
B. Ferreira, Delft University of Technology, NL
H.-P. Feustel, Conti Temic microelectronic GmbH, Nürnberg, DE
P. Friedrichs, SiCED Electronics Developement GmbH & Co. KG, Erlangen, DE
M. Frisch, Vincotech GmbH, Unterhaching, DE
N. Gade, Danfoss Drives A/S, Graasten, DK
G. Griepentrog, Siemens AG, Erlangen, DE
R. Groppo, Centro Ricerche FIAT, Orbassano, IT
S. Gutschling, ZVEI, Frankfurt, DE
T. Harder, European Center for Power Electronics (ECPE) e.V., Nürnberg, DE
M. Held, Empa Swiss Federal Laboratories for Materials Testing and Research, Dübendorf, CH
M. Hendrix, Philips Lighting, Eindhoven, BE
E. Hoene, Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM, Berlin, DE
M. Iturriz, Airbus S.A.S., Toulouse, FR
S. Jones, Semelab Ltd, Lutterworth Leicstershire, GB
R. M. Kennel, Technische Universität München, DE
U. Kirchenberger, STMicroelectronics, Ottobrunn, DE
W. Koczara, Warsaw University of Technology, PL
J. W. Kolar, Eidgenössische Technische Hochschule Zürich, CH
K. Kriegel, Siemens AG, München, DE
D. L'hotellier, Renault
R. Letor, ST Microelectronics, Catania, IT
T. Licht, EUPEC Europäische Ges. für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG, Warstein, DE
A. Lindemann, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, DE
S. Linder, ABB Schweiz AG, Lenzburg, CH
M. Lo Presti, ST Microelectronics
R. D. Lorenz, The University of Wisconsin, Madison, US
J. Lutz, Technische Universität Chemnitz, DE
J. Maier, AB Mikroelektronik GmbH, Salzburg, AT
L. Marlino, Power Electronics and Electric Machinery Research Center, Knoxville, US
G.-M. Martin, Valeo, CRETEIL Cedex, FR
M. März, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB, Erlangen, DE
P. Mawby, University of Warwick, Coventry, GB
P. McCluskey, University of Maryland, US
M. Mermet-Guyennet, ALSTOM Transport, Semeac, FR
A. Mertens, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, DE
J. Millán, Centro Nacional Microelectrónica, Barcelona, ES
H. Morel, CEGELY INSA, Lyon, FR
J. Michel Morelle, VALEO, Creteil Cedex, FR
M. N. Münzer, Infineon Technology, München, DE
A. Nakagawa, Toshiba Corp. Semiconductor Company, Kawasaki, JP
D. R. Newcombe, Dynex Semiconductor Ltd., Lincoln, GB
K. D.T. Ngo, Virginia Tech Center for Power Electronics Systems, Blacksburg, US
C. O'Mathuna, Tyndall National Institute, Cork, IE
H. Ohashi, A.I.S.T., Tsukuba, JP
I. Omura, Kyushu Institute, Katakyushu, JP
F. Osterwald, Danfoss Silicon Power GmbH, Schleswig, DE
D. Perreault, Massachusetts Institute of Technology, US
P. Pichler, Magna Steyr Fahrzeugtechnik AG & Co KG, AT
V. Pickert, Newcastle University, Newcastle upon Tyne, GB
R. Plikat, Volkswagen AG, Wolfsburg, DE
P. Prenninger, AVL List GmbH, Graz, AT
V.T. Ranganathan, Indian Institute of Science, Bangalore, IN
D. Reefman, Philips Research, Eindhoven, NL
T. Reimann, isle Steuerungstechnik und Leistungselektronik GmbH, Ilmenau, DE
J. Reinert, Emotron AB, Helsingborg, SE
P. Rimmen, Reliability Consultants, Hammel, DK
V. Rischmüller, Robert Bosch GmbH, Stuttgart
M. Rittner, Robert Bosch GmbH, Schwieberdingen, DE
W. Sammet, EPCOS AG, Heidenheim, DE
J.-L. Schanen, G2ELab, St. Martin d'HERES cedex, FR
U. Scheuermann, Semikron Elektronik GmbH & Co. KG, Nürnberg, DE
J. Schmid, ISET e.V., Kassel, DE
M. Schneider-Ramelow, Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM, Berlin, DE
H.-J. Schulze, Infineon Technologies AG, München, DE
E. Scrofani, STMicroelectronics, Catania, IT
J. Shi, Siemens AG, Beijing, Chaoyang District, CN
H. D. Silber, Universität Bremen, DE
P. Spirito, University of Napoli, IT
M. Stoisiek, Universität Erlangen-Nürnberg, Erlangen
P. Tenti, Università di Padova, IT
M. Thoben, Infineon Technologies AG, Warstein, DE
J. D. van Wyk, University of Johannesburg, ZA
H. Vetter, EPCOS AG, Heidenheim, DE
G. Wachutka, Technische Universität München, DE
E. Waffenschmidt, Philips Technologie GmbH, Aachen, DE
J. Wilde, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, DE
J. Winkler, Siemens AG, Prag, CZ
E. Wolfgang, ECPE e.V., Munich, DE
W. Wondrak, Daimler AG, Böblingen, DE
M. Dehong Xu, Zhejiang University, Hangzhou, CN
P. Zacharias, Universität Kassel, DE
S. Zudrell-Koch, TridonicAtco Lighting, Dornbirn, AT