| 09:00 |
Keynote 3
Sensoren, Kalibriernormale und Messverfahren für präzise Härte- und Oberflächenmessungen im Mikro- und Nanobereich
U. Brand, Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Braunschweig |
| 09:30 |
Kurzvorträge - Session 2
je 5 Minuten, anschließend Posterdiskussion |
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Katalytische Silicium-Platin-Nanostrukturen für Niedertemperatur MEMS Wasserstoffsensoren |
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L. Müller¹, K. Maier², A. Helwig², M. Hoffmann¹
1) Technische Universität Ilmenau, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®
2) Airbus Group Innovations, München |
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ZnO nanorods-patterned piezoresistive Si cantilevers for humidity sensors |
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J. Xu¹, ², J.Yang¹, W.Wu¹, ², G. Hamdana¹, ², M. Bertke¹, ², H.S. Wasisto¹, ², E. Peiner¹, ²
1) Technische Universität Braunschweig
2) Laboratory for Emerging Nanometrology (LENA), Braunschweig |
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Themenkomplex 2: AVT und Zuverlässigkeit |
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Selbstorganisation von Mikro- und Nanopartikeln durch Zentrifugal- und Kapillarkräfte für ein verbessertes Wärmemanagement in 3D Chip Stacks |
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C. Hofmann, M. Baum, M. Wiemer, Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS, Chemnitz; T. Gessner, Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme, Chemnitz und Technische Universität Chemnitz; T. Brunschwiler, J. Zürcher, B. R. Burg, IBM Research - Zürich, Schweiz; S. Zimmermann, Maschinenbau und Verfahrenstechnik, ETH Zürich, Schweiz |
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Fügen von MEMS-basierten Bauelementen mithilfe von reaktiven Nanoschichten |
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A. Schumacher1, S. Knappmann1, G. Dietrich², E. Pflug²
1) Hahn-Schickard, Villingen-Schwenningen
2) Fraunhofer Institut für Werkstoff- und Strahltechnik (IWS),Dresden |
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Themenkomplex 3: Systemkomponenten und Entwurf |
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Herstellung von Kohlenstoffnanoröhren-basierten Feld-Effekt Transistoren auf Wafer-Level |
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J. Tittmann-Otto¹,², M. Hartmann¹,², S. Hermann¹,², S.E. Schulz¹,²,³, T. Gessner¹,²,³
1) Technische Universität Chemnitz
2) Fraunhofer Institut für Elektronische
Nanosysteme (ENAS), Chemnitz 3) Technische Universität Dresden |
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Mikrostrukturierte Metallschichten in Farbstoffsolarzellen |
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A. Kleine, U. Hilleringmann, Universität Paderborn |
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Modellierung und Kompensation thermischen Drifts bei zeitlich divergenten AFM-Messreihen |
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J. E. Krauskopf, M. Bartenwerfer, S. Fatikow, Universität Oldenburg |
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Selbstjustierende Integrationstechnik für die organische Elektronik |
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T. Meyers¹, F.F. Vidor¹, S.F. Kaijage², U. Hilleringmann¹
1) Universität Paderborn
2) NM-AIST – Communication Science and Engineering (CoSE), Arusha, Tansania |
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Themenkomplex 4: Technologien für Nanostrukturen |
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Post-CMOS integrierte ALD 3D-Mikro- und Nanostrukturen und Anwendung für Multi-Elektroden-Arrays |
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A. Jupe, A. Goehlich, H. Vogt, Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS, Duisburg |
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Elektronenstrahlinduzierte Abscheidung nanogranularer Schichten für sensorische Anwendungen |
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W. Klauser, M. Bartenwerfer, P. Elfert and S. Fatikow, Universität Oldenburg |
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Prozesskette zur Integration Siliciumgras‐basierter nanostrukturierter Flächen in Oberflächen‐MEMS |
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H. Mehner¹, L. Müller¹, S. Biermann²,M. Hoffmann¹
1) Technische Universität Ilmenau, Institut für Mikro- und Nanotechnologien MacroNano®
2) Micro‐Hybrid Electronic GmbH, Hermsdorf |
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Development of a low temperature SiC protection layer for post-CMOS MEMS fabrication utilizing vapour MEMS release technologies |
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C. Walk¹, Y. Chen¹,², N. Vidovic¹,³, A. Wagner¹, M. Görtz¹ , H. Vogt¹
1) Fraunhofer Institute for Microelectronic Circuits and Systems, Duisburg
2) Karlsruhe University of Applied Sciences
3) IMTEK, University of Freiburg |
| 12:00 |
Kurzvorträge – Session 3 |
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Vorstellung von Dienstleistungsangeboten zur Mikro-Nano-Integration |
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Vorstellung von Innovationen des Forschungsverbundes als gemeinsames Angebot an die Industrie |
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K. Herre, Leistungszentrum Funktions¬integration für die Mikro- / Nanoelektronik, Dresden |
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DFG-Gerätezentrum Mikro-Nano-Integration |
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M. Hoffmann, J. Müller, Ilmenau |
| 12:30 |
Mittagspause |
| 13:00 |
Besichtigungen InHaus und IMS |
| 14:00 |
Kurzvorträge – Session 4 |
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je 7 Minuten, anschließend Posterdiskussion |
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Themenkomplex 1: Systeme auf Basis der MNI |
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Design of a new sensor using an integrated dual-mode interferometer and a sensitive polymer adsorber layer |
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P. Scheck, A. Weber, M. Bach, University of Stuttgart and Fraunhofer Institute for Interfacial Engineering and Biotechnology, Stuttgart; N. Hoppe, W. Vogel, M. Berroth, University of Stuttgart |
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Gasmesssystem zur Überwachung von Luftqualität mittels integriertem Präkonzentrator-Gassensor-Mikrosystem |
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M. Leidinger¹, W. Reimringer², C. Alépée³, M. Rieger4, T. Sauerwald¹,
T. Conrad², A. Schütze¹
1) Universität des Saarlandes, Saarbrücken
2) 3S GmbH, Saarbrücken
3) SGX Sensortech SA, Corcelles, Schweiz
4) Fraunhofer Institut für Chemische Technologie ICT, Pfinztal |
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Themenkomplex 2: AVT und Zuverlässigkeit |
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Messkammer für optische in-situ-Konzentrationsmessungen in streuenden Flüssigkeiten |
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M. Blech, A. Cyriax, T. Frank, H.-J. Freitag, S. Pobering, H. Wünscher, T. Ortlepp, CIS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH, Erfurt |
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Wärmesensible Laserdiode trifft hochenergetische Nanoschicht oder von einer neuen Liaison in der Mikroverbindungstechnologie |
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J. Freitag, CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH, Erfurt |
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Themenkomplex 3: Systemkomponenten und Entwurf |
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Post-CMOS Integration von integrierten miniaturisierten Solarzellen für Energie-autarke Sensorknoten |
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M. Stühlmeyer, A. Goehlich, M. Figge,H. Vogt Fraunhofer Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme,Duisburg |
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Einfluss von Fallenzuständen auf die Eigenschaften von ZnO-Nanopartikel Dünnschichttransistoren |
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F. F. Vidor¹, T. Meyers¹, G. I. Wirth², U. Hilleringmann¹
1) Universität Paderborn
2) UFRGS, Microelectronic Department, Porto Alegre, Brasilien |
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Hochgenaue kalibrationsfreie Temperaturdioden für den Temperaturbereich von 3 K bis 500 K |
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I. Tobehn¹, Saskia Pause², T. Ortlepp¹
1) CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH, Erfurt
2) Universität Ilmenau |
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Themenkomplex 4: Technologien für Nanostrukturen |
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Integration of wet-etched GaN nanowires for vertical power transistors |
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F. Yu,¹, S. Yao¹, F. Römer², B. Witzigmann², H. S. Wasisto¹, A. Waag¹
1) Technische Universität Braunschweig
2) Universität Kassel |
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Making use of synthetic diamond layers for 3d micro- and nanoelectric applications |
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M. Bähr, T. Klein, R. Täschner, T. Ortlepp, CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH, Erfurt |
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Nanoporen-Integration für Lab-on-Chip-Systeme |
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M. El Khoury, S. Quednau, I. Duznovic, W. Ensinger, H. F. Schlaak, Technische Universität Darmstadt |
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1D-Sensorstrukturen basierend auf Templatbeschichtung mit Atomlagenabscheidung (ALD) |
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N. Schulz, H.K. Trieu, Technische Universität Hamburg-Harburg |
| 16:00 |
Keynote 4 Nano structures on CMOS – intelligent sensors and actuators by post-processing
A. Goehlich, H. Vogt, Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme IMS, Duisburg |
| 16:30 |
Ende des Workshops |